30.04.2009
Von Alexander Bernhart, Mark Kaspers, Christian Bobisch und Rolf Möller
Mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops kann man neben der Topografie auch die Potentialverteilung von Oberflächen analysieren. Im nebenstehenden Bild ist oben die Topogragie einer Silber/Silizium-Oberfläche zu sehen. Das Inset zeigt, wie mit Hilfe von zwei Tunnelspitzen ein Strom durch diese Oberfläche geschickt wird. Eine Dritte Tunnelspitze kann dann simultan zum Topografiesignal eine entsprechende Potentiallandschaft aufzeichnen (Bild darunter, blau:0mV/rot:+6mV). So ist is gelungen Potentialsprünge und damit Widerstände atomarer Stufen und Korngrenzen mit quasi atomarer Ortsauflösung zu bestimmen.
Näheres dazu in Nano Letters 9, 1588 (2009).